Ga₂O₃有著(zhù)4.7-5.2eV的寬禁帶，本質(zhì)上適合日盲光電探測器。Ga₂O₃有五種同構異形體，單斜β-Ga₂O₃薄膜因其高溫度穩定性已經(jīng)有了大量的研究。其他相，特別是α-、γ-、δ-和ε-Ga₂O₃很少被研究。最近由于ε-Ga₂O₃其有高度對稱(chēng)的六面體結構，有可能將氮化物和ε-Ga2O3結合起來(lái)，形成致力于光電應用的III-氧化物/III-氮化物異質(zhì)結器件結構，因此而廣受科研工作者關(guān)注。

在本文中，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)龍世兵課題組通過(guò)氯化物輔助MOCVD，成功地生長(cháng)出了在c-平面藍寶石襯底上的高質(zhì)量單晶ε-Ga₂O₃薄膜?；诋愘|(zhì)ε-Ga₂O₃薄膜上的，帶有非對稱(chēng)肖特基電極的日盲光電探測器被構建。此器件表現出高性能日盲特性，的高光-暗電流比（PDCR），Jones的高探測率和%的外量子效率。同時(shí)實(shí)現了84 A/W的響應率，100 ms的快響應速度。

1.3.1 ε-Ga₂O₃日盲光電探測器結構

圖1(a)展示了制備的ε-Ga₂O₃ SBPD的截面圖。ε-Ga₂O₃異質(zhì)外延層生長(cháng)于藍寶石上，通過(guò)MOCVD，HCl誘導的生長(cháng)方式生長(cháng)。掃描電子顯微鏡圖像顯示MOCVD生長(cháng)的ε-Ga₂O₃薄膜的表面形態(tài)平整，圖1(b)中ε-Ga₂O₃外延薄膜的X射線(xiàn)衍射（XRD）圖像展示該薄膜為高晶體質(zhì)量的純相ε-Ga₂O₃。圖1(c)為ε-Ga₂O₃薄膜UV-可見(jiàn)光學(xué)透射光譜。在低于280nm時(shí)，透過(guò)急劇下降，表明在此后波長(cháng)有著(zhù)很強的吸收能力，證實(shí)了該薄膜的日盲特性。

圖1. 制備的ε-Ga₂O₃ SBPD的橫截面示意圖。ε-Ga₂O₃ 外延膜的 (b)X射線(xiàn)衍射圖和(c) 透過(guò)譜。

1.3.2 ε-Ga₂O₃日盲光電探測器性能

圖2(a)為ε-Ga₂O₃ SBPD在黑暗和在254 nm，強度為87 μW/cm²光照下半對數和線(xiàn)性I-V曲線(xiàn)。暗電流在電壓-6V到+6V范圍內保持在很低水平，該器件表現出很好的肖特基特性。利用傳輸線(xiàn)模型計算得Ti/Au接觸的接觸電阻率為4.32×10² Ω cm²。此外，ε-Ga₂O₃薄膜方塊電阻為1.2×Ω/sq。因此，低開(kāi)態(tài)電流可歸因于高平面電阻和接觸電阻。利用對J-V圖線(xiàn)性擬合得φ_B為0.88 eV。

通常來(lái)說(shuō)，光電響應特性依賴(lài)于光強。因此，在ε-Ga₂O₃ SBPD上研究了I-V曲線(xiàn)和光強的關(guān)系，如圖2(b)所示?？梢钥吹焦怆娏麟S著(zhù)光強而增加。

我們計算了一些關(guān)鍵的品質(zhì)因數來(lái)評估制備的ε-Ga₂O₃ SBPD的性能，例如響應度（R），探測度（D*）和外量子率（EQE）。該器件在不同光照強度下的關(guān)鍵參數在V=6V時(shí)被提取，正如圖2(c)和(d)所示。正如期待的那樣，光電流隨著(zhù)光照強度而增大，因為在更高光功率光照下在ε-Ga₂O₃溝道中有更多的光子被吸收以及更多的光激發(fā)載流子產(chǎn)生。因此，PCDR、R和D*也會(huì )隨著(zhù)光照強度而增大，表明不會(huì )有ε-Ga₂O₃ SBPD的光或熱引導退化。

圖2. 在暗環(huán)境和光照下的線(xiàn)性和半對數坐標下的I-V曲線(xiàn)。(b)在暗環(huán)境和光照條件下的半對數坐標的I-V曲線(xiàn)。 (c)光電流和光/暗電流比和(d)響應度和探測率隨光強的變化關(guān)系。

不同光強及柵壓對ε-Ga₂O₃日盲光電探測器性能的影響

圖3(a)為在不同電壓下，光強為87μW/cm²的時(shí)光電流隨時(shí)間變化的響應特性。光電流隨著(zhù)偏壓而增大，因為光生載流子被電場(chǎng)加速，因此更多的光生載流子在更高偏壓下被收集。為了獲得精確的響應速度，放大的歸一化時(shí)變光電流曲線(xiàn)畫(huà)在圖3(b)中，以展示下降過(guò)程。下降時(shí)間被定義為從90%下降至10%的時(shí)間，估算為100ms，與已報導的Ga₂O₃ 探測器相比，這是一個(gè)很快的速度?？煜陆禃r(shí)間可歸功于在通過(guò)MOCVD生長(cháng)的ε-Ga₂O₃薄膜中，通過(guò)氫/氯對深能級陷阱的鈍化，在此過(guò)程中HCl作為催化劑。

圖3. 該器件在不同偏壓條件下的時(shí)間相應特性。(b)歸一化下降沿過(guò)程。(c)該ε-Ga₂O₃ SBPD的反向I-V特性曲線(xiàn)。(d)該器件得到的響應度與衰減時(shí)間的關(guān)系

圖3(c)為黑暗環(huán)境下制備的ε-Ga₂O₃ SBPD的反向I-V特性曲線(xiàn)，高擊穿電壓使得ε-Ga₂O₃薄膜有可能被用來(lái)制造高增益的光電二極管。在此工作中，在ε-Ga₂O₃ SBPD上實(shí)現了84A/W的響應度，和100ms的快響應速度。如圖3(d)所示。 

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)龍世兵教授課題組簡(jiǎn)介

    課題組主要從事寬禁帶半導體氧化鎵材料的生長(cháng)，器件開(kāi)發(fā)，包括電力電子器件以及紫外探測器件，功率器件模組以及成像系統的開(kāi)發(fā)。主要期望通過(guò)優(yōu)化器件結構的設計，以及完善工藝開(kāi)發(fā)，制備更高性能的功率器件和深紫外探測器件，實(shí)現更高的擊穿電壓，更低的導通電阻，更高的響應度和更快的響應速度等。截止目前，龍世兵教授主持國家自然科學(xué)基金、科技部（863、973、重大專(zhuān)項、重點(diǎn)研發(fā)計劃）、中科院等資助科研項目15項。在Adv. Mater., ACS Photonics，IEEE Electron Device Lett.等國際學(xué)術(shù)期刊和會(huì )議上發(fā)表論文100余篇，SCI他引6300余次，H指數44。

文章信息

這一成果以“High-Performance Metal-Organic Chemical Vapor Deposition Grown ε-Ga2O3 Solar-Blind Photodetector With Asymmetric Schottky Electrodes”為題發(fā)表在IEEE Electron Device Letters期刊上。中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)覃愿為第一作者，龍世兵教授為通訊作者。，

文章信息：IEEE Electron Device Letters, 2019, 40(9), 1475-1478上。

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