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光致發(fā)光是半導體材料質(zhì)量鑒定的一個(gè)重要手段，適合于測量不同襯底上生長(cháng)的外延薄層，實(shí)驗數據采集和樣品制備簡(jiǎn)單，是非破壞性的，非常方便。光致發(fā)光光譜取決于實(shí)驗樣品中非平衡載流子的輻射復合過(guò)程，與材料的能帶結構、缺陷狀況、摻雜水平等因素有關(guān)。所以，通過(guò)光致發(fā)光光譜可以了解樣品的能帶結構、發(fā)光機制等物理過(guò)程的信息，并反映出材料的質(zhì)量狀況。由于光致發(fā)光光譜直接測量了樣品的發(fā)光強度，在相同的測量條件下，可以對不同的樣品的相對發(fā)光效率作出比對。而且作為研究半導體電子態(tài)的一種手段，光致發(fā)光的優(yōu)點(diǎn)在于其靈敏度，尤其是它在光吸收實(shí)驗靈敏度差的頻段內有較高的靈敏度，二者可互為補充，并在半導體電子態(tài)研究中起重要作用。