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卓立漢光邀您：共同探究半導體材料的光譜測試！
以氧化鋅（ZnO）等為代表的第三代半導體材料是近年來(lái)迅速發(fā)展起來(lái)的新型半導體材料，具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導率高、電子飽和速率高及抗輻射能力強的優(yōu)點(diǎn)，是固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，正在成為半導體產(chǎn)業(yè)新的戰略高地。
ZnO具有激子束縛能高、可見(jiàn)光透過(guò)率高、紫外吸收強等特點(diǎn)，同時(shí)擁有壓電、熱電等特性，是一種*的第三代半導體材料。ZnO半導體材料的研究吸引了*科學(xué)家的關(guān)注，已成為當前科研的前沿熱點(diǎn)之一。經(jīng)過(guò)十多年持續的攻關(guān)研究，人們對ZnO半導體的光、電、磁及壓電等特性的理解和研究不斷深入。ZnO半導體在太陽(yáng)能電池、發(fā)電機、傳感器、探測器、發(fā)光二管和激光器等領(lǐng)域的應用成果不斷涌現，特別是ZnO透明導電膜、薄膜晶體管等方面的大規模工業(yè)應用已迅速展開(kāi)。目前，ZnO的研究已進(jìn)入功能擴展與綜合利用的新階段，有著(zhù)巨大的潛在應用前景。
全國氧化鋅學(xué)術(shù)會(huì )議是由中國物理學(xué)會(huì )發(fā)光分會(huì )主辦的專(zhuān)注ZnO科學(xué)研究進(jìn)展交流的全國性重要會(huì )議，每?jì)赡昱e辦一次。第八屆全國氧化鋅學(xué)術(shù)會(huì )議擬定于2017年10月29-31日在南寧市相思湖大酒店召開(kāi)，本屆會(huì )議由北京科技大學(xué)、廣西大學(xué)和廣西光學(xué)學(xué)會(huì )聯(lián)合承辦。本屆會(huì )議旨在集中展示我國ZnO研究領(lǐng)域取得的科研成果，為相關(guān)科技工作者提供一個(gè)學(xué)術(shù)和技術(shù)交流的平臺，共同研討ZnO研究中存在的基本科學(xué)和技術(shù)問(wèn)題，探尋解決途徑，大力推動(dòng)我國在ZnO相關(guān)物理問(wèn)題和器件應用方面的研究。
卓立漢光歡迎海內外從事ZnO研究的大咖與我們共同探究半導體材料的奧秘！同時(shí)，歡迎參加第八屆全國氧化鋅學(xué)術(shù)會(huì )的朋友們，現場(chǎng)了解我司光譜產(chǎn)品在ZnO領(lǐng)域的應用！
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